BS IEC 63068-1-2019 PDF
Name in English:
STB BS IEC 63068-1-2019
Name in Russian:
СТБ BS IEC 63068-1-2019
Description in English:
Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Classification of defects. Original standard BS IEC 63068-1-2019 in PDF full version. Additional info + preview on request
Description in Russian:
Полупроводниковые приборы. Неразрушающие критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальной пластине карбида кремния для силовых приборов - Классификация дефектов. Оригинальный стандарт BS IEC 63068-1-2019 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Document status:
Active
Format:
Electronic (PDF)
Page count:
26
Delivery time (for English version):
1 business day
Delivery time (for Russian version):
3 business days
SKU:
stbs30916
More technical details are being prepared for this document.