BS IEC 63275-1-2022 PDF

STB BS IEC 63275-1-2022

Name in English:
STB BS IEC 63275-1-2022

Name in Russian:
СТБ BS IEC 63275-1-2022

Description in English:

Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Test method for bias temperature instability. Original standard BS IEC 63275-1-2022 in PDF full version. Additional info + preview on request

Description in Russian:
Полупроводниковые приборы. Метод проверки надежности дискретных полевых транзисторов на основе металлооксидного полупроводника из карбида кремния - Метод проверки нестабильности при изменении напряжения смещения. Оригинальный стандарт BS IEC 63275-1-2022 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Document status:
Active

Format:
Electronic (PDF)

Page count:
16

Delivery time (for English version):
1 business day

Delivery time (for Russian version):
2 business days

SKU:
stbs30962

Choose Document Language:
€50
More technical details are being prepared for this document.